Neoweb.nl

Duitse onderzoekers werken aan verticale nano-transistors

0 Members and 1 Guest are viewing this topic.

Offline Digihans

  • *****
  • 1.794
  • +86/-8
  • Gender: Male
  • E=MC2
Duitse onderzoekers werken aan verticale nano-transistors
« on: February 10, 2010, 04:52:50 PM »
Duitse onderzoekers werken aan verticale nano-transistors
Onderzoekers van het Max Planck-instituut hebben nanodraden van kristallijn silicium ontwikkeld die ze willen gebruiken als transistors. De transistors zouden haaks op een substraat moeten staan. Dat zou tot zuiniger elektronica leiden.

Verticale nanotransistors. Chips, kleiner en goedkoper
Door de verticale oriƫntatie van de nanobuisjes zouden transistors, en daarmee chips, kleiner en goedkoper kunnen worden. Nu worden de kleinste rekeneenheden in een processor nog plat op de ondergrond van silicium geplaatst. Dankzij de vinding van de onderzoekers zouden chips in de toekomst een meer driedimensionale structuur kunnen krijgen, met kolommen van silicium nanobuizen als transistors. Nanobuisjes worden in het lab vaker ingezet bij de productie van transistors, maar ze worden dan in bulk gebruikt. Bij het Max Planck-instituut willen ze echter individuele buisjes als transistor inzetten.

De fysici van het Max Planck-instituut in Halle maken de transistors door nanobuisjes van silicium te voorzien van dopants, net als bij de productie van tradionele halfgeleiders gebeurt. Het doteren zorgt voor veranderingen in de silicium buisjes, maar de distributie van onzuiverheden die hierbij plaats vindt, bleek niet uniform. In de vrij forse nanodraden van honderd nanometer in diameter en driehonderd nanometer hoog bleken de onzuiverheden in de vorm van fosfor en boron niet gelijkmatig door het silicium verdeeld te zijn.

overgang van micro-elektronica naar nano-elektronica
Uit de beelden die met een ssr-microscoop werden verkregen, bleek het fosfor en het boron naar het oppervlak van de buisjes te migreren. Door deze migratie zorgden de onzuiverheden niet langer voor het wijzigen van de elektrische eigenschappen van het silicium. Alvorens de onderzoekers kleinere, verticale, silicium nanobuis-transistors kunnen ontwikkelen, moet eerst een methode ontwikkeld worden om de gewenste eigenschappen niet te laten verdwijnen. Wanneer het de onderzoekers lukt kleinere nanobuis-transistors te bouwen, zouden dit een belangrijke stap betekenen bij de transitie van micro- naar nano-elektronica.

De Duitsers willen op termijn transistors met een diameter van slechts enkele atomen doorsnede maken en nanodraden van strengen atomen produceren. Een beter begrip van de elektrische eigenschappen op nanoschaal is dan noodzakelijk, en de ssrm-techniek* moet dat faciliteren.

* ssrm = Scanning Spreadingr Resistance Microscopy

bron : Tweakers.net

Zie ook:
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl903228s
http://www.sciencedaily.com/releases/2010/02/100202103625.htm
http://en.wikipedia.org/wiki/Scanning_spreading_resistance_microscopy