Neoweb.nl

Britse onderzoekers testen buigzaam nanogeheugen

0 Members and 1 Guest are viewing this topic.

Offline Digihans

  • *****
  • 1.794
  • +86/-8
  • Gender: Male
  • E=MC2
Britse onderzoekers testen buigzaam nanogeheugen
« on: October 27, 2010, 02:36:38 PM »
Britse onderzoekers testen buigzaam nanogeheugen

Britse onderzoekers hebben geheugen ontwikkeld dat wordt opgebouwd uit nanodraadtransistors. Na de nanostructuren met succes op silicium te hebben geproduceerd, willen ze hun geheugen op flexibele plastic substraten aanbrengen.

Nanodraad-geheugen
De groep van Junginn Sohn van het Nanoscience Center van de universiteit van Cambridge ontwikkelde het geheugen. De transistors die het geheugen vormen zijn van zinkoxide-nanodraden gemaakt. Er is geen spanning nodig om data in de nanogeheugencellen vast te houden, hoewel gegevens niet zo lang opgeslagen kunnen worden als in conventioneel flash-geheugen.

Bovendien duurt het langer om data weg te schrijven en het nanogeheugen heeft een kortere levensduur. De huidige prototypes behouden hun data ongeveer elf uur en kunnen slechts zeventig keer beschreven worden.

Het geheugen kan op termijn dichter opeengepakt worden dankzij de kleinere structuren. Ook kan het nanodraadgeheugen bij kamertemperatuur middels een relatief eenvoudig procedé geproduceerd worden, wat niet alleen de kosten zou kunnen drukken, maar waardoor het geheugen ook op flexibele substraten zoals plastic kan worden aangebracht.

De transistors worden gemaakt door nanodraden om een silicium substraat te bevestigen en een source en drain-elektrode aan de uiteinden te bevestigen. Een coating van bariumnitraat en aluminium elektrode vormen de gate. Door verschillende spanningen op de gate aan te brengen, kunnen diverse geleidingstoestanden worden gerealiseerd in de transistors: zo kunnen de onderzoekers vier toestanden creëren, wat effectief tot geheugens met twee bits per cel levert.

nog veel te verbeteren aan nanodraadgeheugen
De volgende stappen die de Cambridge-medewerkers willen nemen, zijn het verbeteren van het nanodraadgeheugen. De huidige nanodraadtransistors zijn ongever 100 nanometer dik en twee micrometer lang, wat vergeleken met flash-geheugen te groot is. Ook de schrijfsnelheid moet drastisch verbeterd worden: momenteel duurt het beschrijven een volle seconde. Ook dienen de retentietijd en levensduur verbeterd te worden. Gezien de lastige productie van nanodraden is het twijfelachtig of massaproductie haalbaar is, maar specialistische circuits op basis van zinkoxide-componenten zou wel een toepassingsgebied vormen.

bron: Tweakers.net

zie ook:
http://www.technologyreview.com/computing/26580/?p1=A1&a=f
http://www.nanoscience.cam.ac.uk/index.php?option=com_comprofiler&task=userProfile&user=141